參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4149
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ITO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商: 2SC4149
Forward Bias SOA
0.01
0.1
1
10
1
10
2SC4149
Tc = 25
°C
Single Pulse
1ms
10ms
DC
20
40
Collector-Emitter Voltage VCE [V]
Collector
Current
I
C
[A]
PT limit
IS/B limit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4163-M 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC4163L 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC4163-L 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC4163M 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC4163-L 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2SC4149-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4149-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4149-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4150 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(12A NPN)