參數(shù)資料
型號: 2SC4132R
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
中文描述: 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五(巴西)總裁|甲一(c)|律師- 62
文件頁數(shù): 2/3頁
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代理商: 2SC4132R
244
Transistors
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
Electrical characteristics (Ta = 25 C)
Packaging specifications and h
FE
h
FE
values are classified as follows :
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4132T100P SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC4132T100Q BJT
2SC4132T100R SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
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2SC4171L SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
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參數(shù)描述
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2SC4132T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4132T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4133 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB