參數(shù)資料
型號： 2SC3836
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： 2SC3836
2SC3836
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
60
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
15
V
Collector current
300
mA
Collector power dissipation
300
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
50
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BE)EBO
15
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
V
BE
h
FE1
—
—
1
μ
A
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 6 V, I
C
= 1 mA
V
= 6 V, I
C
= 100 mA
(pulse test)
Base to emitter voltage
—
—
0.75
V
DC current transfer ratio
800
—
2000
h
FE2
V
CE(sat)
500
—
—
V
CE
= 6 V, I
C
= 1 mA
I
= 300 mA, I
B
= 30 mA
(pulse test)
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
0.3
V
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