參數(shù)資料
型號： 2SC3833
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Isolated Flyback Switching Regulator with 9V Output
中文描述： 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 25K
代理商： 2SC3833
73
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(High Voltage and High Speed Switching Transistor)
2S C3833
Application :
Switching Regulator and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SC3833
500
400
10
12(
Pulse
24)
4
100(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SC3833
100
max
100
max
400
min
10to30
0.5
max
1.3
max
10
typ
105
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=500V
V
EB
=10V
I
C
=25mA
V
CE
=4V, I
C
=7A
I
C
=7A, I
B
=1.4A
I
C
=7A, I
B
=1.4A
V
CE
=12V, I
E
=–1A
V
CB
=10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
t
on
t
stg
t
f
–I
C
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat),V
BE
(sat)–I
C
Temperature Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Reverse Bias Safe Operating Area
Safe Operating Area
(Single Pulse)
0
0
4
2
6
8
10
12
2
1
3
4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
600mA
400mA
200mA
800mA
1000mA
I
B
=100mA
0.02
0.1
0.05
1
5
10
0.5
0
1
(I
C
/I
B
=5)
Collector Current I
C
(A)
V
BE
(sat)
125C (Case Temp)
25C (Case Temp)
–55C (Case Temp)
25C
–55C
V
CE
(sat)
1
2
5
C
C
a
s
e
e
m
p
)
1
0.5
10
5
0.1
0.5
5
8
1
S
t
o
t
s
t
f
(
μ
s
Collector Current I
C
(A)
t
stg
t
on
t
f
V
CC
200V
I
C
:I
B1
:–I
B2
=10:1:2
0.1
1
2
0.5
1
10
100
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
100
50
3.5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
10
50
5
500
100
1
0.5
0.1
0.05
0.01
10
30
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
L=3mH
–I
B2
=1A
Duty:less than 1%
10
50
5
100
500
0.05
0.01
1
0.5
0.1
10
30
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
100
μ
s
1m
1s
DCT=25C
C
C
(
B
B
(
Without Heatsink
Natural Cooling
0
12
10
4
2
8
6
0
1.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
15CCsTm)
–CaTp
0.02
0.1
0.05
1
12
10
5
0.5
5
10
50
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=4V)
125C
25C
–30C
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
200
28.5
7
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
–5
I
B2
(A)
–1.4
t
on
(
μ
s)
1.0
max
t
stg
(
μ
s)
3.0
max
t
f
(
μ
s)
0.5
max
I
(A)
0.7
V
(V)
10
External Dimensions
MT-100(TO3P)
15.6
±0.4
9.6
1
±
4
2
5
±
1
3.2
±0.1
2
3
1.05
+0.2
-0.1
2
4
B
E
5.45
±0.1
5.45
±0.1
C
4.8
±0.2
0.65
+0.2
-0.1
1.4
2.0
±0.1
a
b
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3836 Silicon NPN Epitaxial
2SC3840K SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3840L TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SC3840M SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3840 NPN SILICON POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3835 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 120V 7A TO3P
2SC3837KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC3837KT146N 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3837KT146N/P 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, NPN, RF, 18V, 50mA, SMT3, 2
2SC3837KT146P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*