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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3332 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for High-Voltage Switching Application(高電壓轉(zhuǎn)換應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管的高壓開關應用（高電壓轉(zhuǎn)換應用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SC3332 |
No.1334-2/3
2SA1319/2SC3332
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3338 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC3358 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SC3365 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SC3365 | Power Bipolar Transistors |
| 2SC3377 | 2SC2673 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3332_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3332R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3332R-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3332S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3332S-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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