| 型號(hào): | 2SC3001 | 
| 廠商: | Mitsubishi Electric Corporation | 
| 英文描述: | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) | 
| 中文描述: | 瑞展式(射頻功率晶體管) | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) | 
| 文件大小: | 132K | 
| 代理商: | 2SC3001 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| 2SC3006 | TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) | 
| 2SC3007 | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) | 
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| 2SC3012 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR | 
| 2SA1232 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| 2SC3004 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 | 
| 2SC3006 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) | 
| 2SC3007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) | 
| 2SC3011 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) | 
| 2SC3012 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |