參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2471
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SC2471
2SC2471
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
30
V
Collector to emitter voltage
30
V
Emitter to base voltage
3
V
Collector current
50
mA
Collector power dissipation
310
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
30
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
30
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
3
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
—
—
100
nA
V
CB
= 24 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA
Emitter cutoff current
—
—
100
nA
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
300
mV
Base to emitter voltage
V
BE
h
FE
f
T
Cob
—
—
0.95
V
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
= 10 V, I
C
= 5 mA,
f = 31.8 MHz
DC current transfer ratio
20
—
—
Gain bandwidth product
1000
2000
—
MHz
Collector output capacitance
—
0.9
1.5
pF
Base time constant
r
bb’
C
C
—
12
20
ps
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