參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2412KSLT1
廠商： 樂山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： 2SC2412KSLT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M36–3/3
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
2S2412K*LT1
Fig.9 Gain bandwidth product vs. emitter current
500
200
100
50
f
r
,
I
E
, EMITTER CURRENT
(mA)
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
Fig.10 Collector output capacitance vs.collector-base voltage
Emitter inputcapacitance vs. emitter-base voltage
20
10
5
2
1
C
o
,
C
i
,
V
CB
, COLLECTOR TO BASE VOLTAGE (V)
V
EB
, EMITTER TO BASE VOLTAGE (V)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Fig.11 Base-collector time constant vs.emitter current
200
100
50
20
10
Cc
-
r
b
,
I
E
, EMITTER CURRENT
(mA)
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
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PDF描述
2SC2412 2SC4097 / 2SC1741S
2SC2412K 2SC4097 / 2SC1741S
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2SC2412KS TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-59
2SC2412 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
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2SC2412KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC2412KT146S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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