參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2412KS
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-59
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|律師- 59
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 184K
代理商： 2SC2412KS
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M36–2/3
2SC2412K*LT1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
T
C
2
–
50
20
10
50
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
A
= 25°C
100
80
60
40
20
0
I
C
,
(
Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics
Fig.2 Grounded emitter output characteristics( )
Fig.3 Grounded emitter output characteristics( )
Fig.4 DC current gain vs. collector current ( )
Fig.5 DC current gain vs. collector current ( )
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current
V
CE
= 6 V
V
BE
,
BASE TO EMITTER VOLTAGE(V)
I
C
,
(
V
CE
,
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
4
8
12
16
20
10
8
6
4
2
0
I
C
,
(
V
CE
,
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
500
200
100
50
20
10
h
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
200
100
50
20
10
h
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.50mA
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC2412 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412KRLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412KLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412KQKT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2502 POWER TRANSISTORS(6.0A,400V,50W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC2412KSLT1 制造商:LRC 制造商全稱(chēng):Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412KT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC2412KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR SMD 制造商:Rohm 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SMT T/R
2SC2412KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC2412KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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