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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2412KRLT1 |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | 2SC2412KRLT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M36–2/3
2SC2412K*LT1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
T
C
2
–
50
20
10
50
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
A
= 25°C
100
80
60
40
20
0
I
C
,
(
Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics
Fig.2 Grounded emitter output characteristics( )
Fig.3 Grounded emitter output characteristics( )
Fig.4 DC current gain vs. collector current ( )
Fig.5 DC current gain vs. collector current ( )
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current
V
CE
= 6 V
V
BE
,
BASE TO EMITTER VOLTAGE(V)
I
C
,
(
V
CE
,
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
4
8
12
16
20
10
8
6
4
2
0
I
C
,
(
V
CE
,
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
500
200
100
50
20
10
h
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
200
100
50
20
10
h
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.50mA
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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