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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2412KLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | 2SC2412KLT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M36–3/3
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
2S2412K*LT1
Fig.9 Gain bandwidth product vs. emitter current
500
200
100
50
f
r
,
I
E
, EMITTER CURRENT
(mA)
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
Fig.10 Collector output capacitance vs.collector-base voltage
Emitter inputcapacitance vs. emitter-base voltage
20
10
5
2
1
C
o
,
C
i
,
V
CB
, COLLECTOR TO BASE VOLTAGE (V)
V
EB
, EMITTER TO BASE VOLTAGE (V)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current ( )
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT
(mA)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Fig.11 Base-collector time constant vs.emitter current
200
100
50
20
10
Cc
-
r
b
,
I
E
, EMITTER CURRENT
(mA)
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
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