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參數資料
| 型號： | 2SC2310 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC2310 |
2SC458 (LG), 2SC2310
7
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
1
N
Noise Figure vs. Collector to Emitter Voltage
8
6
4
2
0
30
20
10
5
2
I
C
= 0.1 mA
R
= 500
f = 120 Hz
h Parameter vs. Collector Current
100
50
V
= 6 V
f = 270 Hz
P
C
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Collector Current I
C
(mA)
0.010.02 0.05 0.1 0.2
2
5
0.5 1.0
10
h
re
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
h
fe
h
ie
h
oe
h Parameter vs. Collector to
Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
20
10
5
2
1.0
0.5
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
P
C
=
I
= 0.1 mA
f = 270 Hz
h
oe
h
re
h
oe
h
fe
h
ie
h
fe
h
ie
h
re
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC458LG | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC458 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2324 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2324K | Silicon NPN Epitaxial |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC2310B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC2310C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2312 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR |
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