參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2047R
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC2047R
10
High speed switching transistors
Letter symbols
VCBO:
Collector-to-base voltage (Emitter open)
VCEO:
Collector-to-emitter voltage (Base open)
VCEO (sus):
Collector-to-emitter sustaining voltage (Base open)
VCEX (sus):
Collector-to-emitter sustaining voltage (Base reverse bias)
IC (cont):
Collector-current (continuous)
PC:
Maximum power dissipation
hFE:
DC current gain
ton:
Turn-on time
tstg:
Storage time
tf:
Fall time
2SD1158
80
50
8
40
250
1
5
0.5
3.0
0.8
TO-220AB
2.0
2SD1118
80
50
10
50
300
1
5
0.5
3.0
0.8
TO-220AB
2.0
2SD1128
150
100
5
30
700
1
4
-
TO-220AB
2.0
2SD923
150
100
10
80
700
3
4
-
TO-3P
5.5
2SD982
200
180
5
40
700
1
4
-
TO-220AB
2.0
2SD921
200
180
5
80
700
1
4
-
TO-3P
5.5
2SC2438
150
80
7
50
60
1
0.5
2.5
0.3
TO-220AB
2.0
2SC2767
250
200
5
40
20
1
5
1.0
2.0
1.0
TO-220AB
2.0
2SC2768
250
200
6
40
20
1
5
1.0
2.0
1.0
TO-220AB
2.0
2SC2769
250
200
10
100
20
2
5
0.8
2.0
0.5
TO-3P
5.5
2SC2944
250
200
15
100
20
2
5
0.8
1.5
0.4
TO-3P
5.5
2SC2626
400
300
15
80
10
6
5
0.8
2.0
0.8
TO-3P
5.5
2SC2929
450
400
3
40
20
0.5
5
1.5
2.0
0.8
TO-220AB
2.0
2SC2542
450
400
5
40
10
2
5
1.0
2.0
1.0
TO-220AB
2.0
2SC3723
450
400
5
40
10
2
5
1.0
2.5
0.5
TO-220AB
2.0
2SC3317
500
400
5
40
10
2
5
0.5
1.5
0.15
TO-220AB
2.0
2SC4242
450
400
7
40
10
4
5
1.0
2.5
0.5
TO-220AB
2.0
2SC4622
500
400
7
50
10
4
5
1.0
2.5
0.5
TO-220AB
2.0
2SC2625
450
400
10
80
10
4
5
1.0
2.0
1.0
TO-3P
5.5
ET405R
450
400
10
80
10
4
5
1.0
2.0
1.0
TO-3PF
6.0
2SC3318
500
400
10
80
10
5
0.5
1.5
0.15
TO-3P
5.5
ET400
500
400
10
80
10
5
0.5
1.5
0.15
TO-3PF
6.0
2SC3320
500
400
15
80
10
6
5
0.5
1.5
0.15
TO-3P
5.5
ET401R
500
400
15
80
10
6
5
0.5
1.5
0.15
TO-3PF
6.0
2SC3047
850
500
6
40
15
0.5
5
1.0
3.0
1.0
TO-220AB
2.0
ET206
850
500
10
80
15
1
5
1.0
3.5
1.0
TO-3P
5.5
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2SC2053 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
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2SC2056 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in VHF band portable or hand-held radio applications)
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