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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB831B |
| 英文描述： | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 20V的五（巴西）總裁| 700mA的一（c）|的SOT - 143RVAR |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | 2SB831B |
2SB831
4
Package Dimensions
0.16
0 – 0.1
+ 0.10
0.4
+ 0.10
0.95
1.9
±
0.2
0.95
2.95
±
0.2
2
+
–
0
1
±
0
1
+
–
0
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass
(reference value)
MPAK
—
Conforms
0.011 g
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB831C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-143RVAR |
| 2SB833 | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 2SB834Y | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SB834 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
| 2SB834 | POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB831BBTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB831BCTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB831C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-143RVAR |
| 2SB833 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
| 2SB834 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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