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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB8157 |
| 英文描述： | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 15V的五（巴西）總裁| 700mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 587K |
| 代理商： | 2SB8157 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB816D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB816E | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 2SB817E | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 2SB817P | Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits |
| 2SB817PD | TRANSISTOR | BJT | PNP | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB815-7 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2SB815-7-TB-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB816 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SB816D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB816E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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