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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB647A |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB647A |
2SB647, 2SB647A
4
Saturation Voltage
vs. Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
B
B
I
C
= 10 I
B
Pulse
Ta = –25
°
C
75
25
25
–25
Ta = 75
°
C
V
CE(sat)
V
BE(sat)
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
C
C
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
Gain Bandwidth Product
vs. Collector Current
V
CE
= –5 V
240
200
160
120
80
40
0
–10
–30
Collector Current I
C
(mA)
–100
–300
–1,000
G
T
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
–1
200
100
50
20
10
5
2
–2
–5
–10
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
C
o
–50
–20
–100
f = 1 MHz
I
E
= 0
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