參數(shù)資料
型號： 2SB1714T100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2SB1714T100
2SB1714
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curves
0.1
1
10
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(A)
0.1
1
10
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
VBE=2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
40 C
Fig.2 DV current gain
vs. collector current
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=
40 C
Ta=25 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB=20/1
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
40 C
Ta=100 C
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.4 Base-emitter saturation voltage
vs. collectir current
IC/IB=20/1
IC/IB=50/1
IC/IB=10/1
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ta=25 C
Pulsed
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
fT
(MHz)
Ta=25 C
VCE=
2V
f=100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter curent
100
1000
1
10
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
0.001
0.1
100
0.01
1
10
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
Cib
Cob
IC=0A
f=1MHz
Ta=25 C
COLLECTOR CURRENT : IC(A)
SWITCHINGTIME
:
(ns)
Fig.7 Switching time
Ta=25 C
VCE=
12V
IC/IB=20/1
Pulsed
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
10000
tstg
tdon
tf
tr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB2284 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB553O 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB562C 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB562 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB566(K)B POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1722J0L 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1730TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1731TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1733TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*