參數(shù)資料
型號： 2SB1713T100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： 2SB1713T100
2SB1713
Transistors
Rev.A
1/2
Packaging type
Code
Taping
Package
MPT3
Basic ordering unit (pieces)
2SB1713
T100
1000
Part No.
-3A / -12V Bipolar transistor
2SB1713
Applications
Dimensions (Unit : mm)
Low frequency amplification, driver
Features
1) Collector current is high.
2) Low collector-emitter saturation voltage.
(Typ. = -250mV, at IC= -1.5A, IB = -30mA)
Structure
PNP epitaxial planar silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Packaging specifications
Power dissipation
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
PC
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
tj
tstg
Limits
15
12
6
3
0.5
2
150
55 to +150
Unit
V
A
ICP
DC
Pulse
6
W
°C
1
2
3
1 Pw=1ms, Pulsed.
2 Each terminal mounted on a recommended land.
3 Mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Conditions
Collector-base breakdown voltage
IC=
10A
Collector-emitter breakdown voltage
IC=
1mA
Emitter-base breakdown voltage
IE=
10A
Collector cut-off current
VCB=
15V
Emitter cut-off current
VEB=
6V
Collector-emitter saturation voltage
IC/IB=
1.5A/ 30mA
DC current gain
VCE=
2V, IC= 500mA
Transition frequency
VCE=
2V, IE=500mA , f=100MHz
Collector output capacitance
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
15
12
6
270
Typ.
120
280
30
Max.
100
250
680
Unit
V
nA
mV
MHz
pF
VCB=
10V , IE=0mA , f=1MHz
Pulsed
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Abbreviated symbol : XW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1722G 20 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1730TL 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB514 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD330D 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD330C 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2SB1730TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1731TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1733TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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