參數(shù)資料
型號： 2SB1705TL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 66K
代理商： 2SB1705TL
2SB1705
Transistors
Rev.C
2/2
Packaging specifications
2SB1705
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristic curves
Fig1. DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
110
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE
=2V
Pulsed
25C
125C
40C
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
IC/IB=20/1
Pulsed
1
25C
125C
40C
10
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
IC/IB=20/1
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V
)
Fig.3 Base
emitter saturation voltage
vs.collector current
25C
125C
40C
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V
)
Fig.4 Grounded emitter propagation
charactereistics
10
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
IC/IB=20/1
Pulsed
25C
125C
40C
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
fr
(MHz)
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Ta
=25°C
VCE
=2V
f
=100MHz
Fig 6. Collector output capacitance vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance vs. emitter-base volatage
1000
100
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
Cob
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
IC
=0A
f=1MHz
Ta=25
°C
Cib
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1707TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1708TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1709TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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