參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1700
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 35K
代理商： 2SB1700
2SB1700 / 2SD2663
No.7380-3/4
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hFE -- IC
Ta=120
°
C
25
°
C
-40
°
C
0.4
0.8
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
1.2
1.6
2.0
2.4
0
1.0
0.5
2.0
3.0
1.5
2.5
3.5
IC -- VBE
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
--0.4
--0.8
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--1.0
--2.0
--3.0
--3.5
--2.5
--1.5
--0.5
--1000
--100
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7
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2
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1000
5
2
3
10000
7
2
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2
3
7
hFE -- IC
IT04735
VCE(sat) -- IC
IT04737
IT04736
IT04738
IC -- VBE
IT04733
IT04734
2SD2663
IC / IB=500
2SB1700
IC / IB=500
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
Ta=120
°
C
25
°
C
--40
°
C
VBE(sat) -- IC
IT04739
VBE(sat) -- IC
IT04740
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C
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°
C
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Ta= --40
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2SD2663
VCE=3V
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VCE(sat) -- IC
1000
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2SB1700
VCE= --3V
2SD2663
VCE=3V
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VCE= --3V
2SD2663
IC / IB=500
2SB1700
IC / IB=500
Ta= --40
°
C
25
°
C
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°
C
C
Collector Current, IC -- mA
D
C
Collector Current, IC -- mA
D
Collector Current, IC -- mA
C
S
Collector Current, IC -- mA
B
S
Collector Current, IC -- mA
C
S
Collector Current, IC -- mA
B
S
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PDF描述
2SD2663 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
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參數(shù)描述
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2SB1706TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1707TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1708TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1709TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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