參數(shù)資料
型號： 2SB1683
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SB1683
2SB1683 / 2SD2639
No.6960-2/4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
0
--10
--20
--30
--40
0
--2
--6
--4
--8
--10
0
IT03152
--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
0
2
1
3
4
5
6
7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT03154
IT03155
IT03153
--240mA
--200mA
--160mA
--120mA
--40mA
--20mA
--80mA
2SB1683
IB=0
10
20
30
40
8
6
4
2
0
240mA 160mA
200mA
120mA
80mA
40mA
20mA
2SB1683
VCE= --5V
2SD2639
VCE=5V
2SD2639
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)1A
60*
200*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)6A
20
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
15
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(300)210
pF
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
1.5
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)5A, IB=(--)0.5A
(1.1)0.6
2.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)5mA, IE=0
(--)160
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)140
V
IC=(--)50mA, RBE=∞
(--)140
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)5mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
(0.25)0.26
μs
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.53)0.68
μs
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(1.61)6.88
μs
* : The 2SB1683 / 2SD2639 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
D
E
hFE
60 to 120
100 to 200
Switching Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1685Y 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1685P 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1691 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1694T106 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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