參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1669-S
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延的高晶體管高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 138K
代理商： 2SB1669-S
Data Sheet D15410EJ2V0DS
2
2SB1669
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
on
t
stg
t
f
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
10
400
Unit
μ
A
V
V
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
Collector cutoff current
DC current gain
V
CB
=
60 V, I
E
= 0 A
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A
V
CE
=
5 V, I
C
=
3 A
I
C
=
3.0 A, I
B
=
300 mA
I
C
=
3.0 A, I
B
=
300 mA
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
0.5 A
V
CB
=
10 V, I
E
= 0 A, f = 10 MHz
I
C
=
2.0 A, R
L
= 15
,
I
B1
=
I
B2
=
200 mA, V
CC
30 V
Refer to the test circuit.
Note
100
20
Note
Collector saturation voltage
Base saturation voltage
Gain bandwidth product
Collector capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Note
1.0
2.0
Note
5
80
0.4
1.7
0.5
Note
Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
SWITCHING TIME (t
on
, t
stg
, t
f
) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1669-Z PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1669 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1672 Power Transistor(功率晶體管)
2SB1675 Power Transistor(功率晶體管)
2SB1676 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB167900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1682(Q) 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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