參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1657-AZ
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： 2SB1657-AZ
characteristics
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cutoff Currnet
ICB0
VCB =
30 V, IE = 0
100
nA
Emitter Cutoff Current
IEB0
VEB =
6.0 V, IC = 0
100
nA
DC Current Gain
hFE1
VCE =
2.0 V, IC = 0.5 A
150
600
DC Current Gain
hFE2
VCE =
2.0 V, IC = 3.0 A
70
Collector Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC =
0.5 A, IB = 25 mA
0.08
0.15
V
Collector Saturation Voltage
VCE(sat)2
IC =
1.0 A, IB = 50 mA
0.13
0.25
V
Collector Saturation Voltage
VCE(sat)3
IC =
2.0 A, IB = 100 mA
0.24
0.40
V
Collector Saturation Voltage
VCE(sat)4
IC =
3.0 V, IB = 75 mA
0.46
1.0
V
Base Saturation Voltage
VBE(sat)
IC =
1.0 A, IB = 50 mA
0.83
1.50
V
Gain Bandwidth Product
fT
VCE =
10 V, IE = 50 mA
75
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB =
10 V, IE = 0, f = 1 MHz
60
pF
1996
DATA SHEET
The information in this document is subject to change without notice.
SILICON TRANSISTOR
2SB1657
FEATURES
Low VCE(sat)
VCE(sat) =
0.15 V Max (@lC/lB = 0.5 A/25 mA)
High DC Current Gain
hFE = 150 to 600 (@VCE =
2.0 V, lC = 0.5 A)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Voltage and Current (TA = 25
°C)
Collector to Base Voltage
VCB0
30 V
Collector to Emitter Volteage
VCE0
30 V
Emitter to Base Voltage
VEB0
6.0 V
Collector Current (DC)
IC(DC)
5.0 A
Collector Current (Pulse)*
IC(Pulse)
8.0 A
Base Current (DC)
IB(DC)
1.0 A
* PW
≤ 10ms, Duty Cycle ≤ 10 %
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (TC = 25
°C)
PT
10 W
Total Power Dissipation (TA = 25
°C)
PT
1.0 W
Maximum Temperature
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to 150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
Document No. D10627EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters (inches)
8.5 MAX.
(0.334 MAX.)
1.2
(0.047)
1.2
(0.047)
0.8
(0.031)
2.3
(0.090)
1.
2.
3.
Emitter
Collector connected to mounting plane
Base
2.3
(0.090)
+0.08
0.05
0.55
(0.021)
+0.08
0.05
12 3
12.0
MAX.
(0.472
MAX.)
3.8
±
0.2
(0.149)
φ
3.2
±
0.2
(
0.126)
2.5
±
0.2
(0.098)
13.0
MIN.
(0.512
MIN.)
2.8 MAX.
(0.110 MAX.)
3.2 ± 0.2 ( 0.126)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1661S POWER TRANSISTOR
2SB1661S POWER TRANSISTOR
2SB1667(SM)-Y 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1667(SM)-O 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1679R 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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