參數(shù)資料
型號： 2SB1617
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-8M1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： 2SB1617
2SB1617
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
VBE (sat) – IC
Collector current IC (A)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ol
le
ct
or
po
we
rdi
ss
ip
at
io
n
P
C
(W)
Collector current IC (A)
0.5
0.3
5
Ta = 55°C
100
25
3
1
3
0.5
5
1
Common emitter
IC/IB = 1000
0.5
0.3
5
Ta = 55°C
100
25
3
1
3
0.5
5
1
Common emitter
IC/IB = 1000
0
0.2
0.8
1.4
25
50
100
125
175
75
150
0.4
1.0
1.6
0.6
1.2
0
1
2
1
2
3
4
IB = 200 μA
1000
500
800
400
250
300
Common emitter
Ta = 25°C
5
3
4
10000
0.03
Common emitter
VCE = 2 V
100
300
500
1000
3000
5000
0.1
0.3
1
3
Ta = 100°C
25
55
10
0
0.5
2.5
0.4
1.2
2.0
2.8
Common emitter
VCE = 2 V
Ta = 100°C
25 55
0.8
1.6
2.4
1.0
1.5
2.0
3.0
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