參數(shù)資料
型號： 2SB1588
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達林頓）)
中文描述： 10 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, FM100, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SB1588
50
h
FE
Rank O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
–2.5mA
–2.0mA
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
0
0
–2
–4
–6
–10
–8
–2
–4
–6
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–0A
–1.5mA
–1.0mA
–1.2mA
–0.8mA
–0.6mA
I
B
=–0.4mA
0
–3
–2
–1
–1
–0.5
–10
–5
–200
–100
–50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
–7A
–10A
I
C
=–5A
0
–10
–8
–6
–2
–4
0
–2.5
–2
–1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=–4V)
1Cem
2 se)
–CaTp
1,000
10,000
40,000
5,000
–0.2
–0.5
–1
–5
–10
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–4V)
Typ
(V
CE
=–4V)
–0.2
–1
–0.5
–5
–10
500
1,000
5,000
10,000
50,000
Collector Current I
C
(A)
D
F
125C
25C
–30C
0.1
1
3
0.5
1
5
10
50
100
500 1000
2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
0.02
0.1
0.05
0.5
1
5
10
0
40
60
20
100
80
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
–10
–50
–5
–3
–100
–200
–0.05
–0.1
–1
–0.5
–10
–30
–5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
DC
100ms
Without Heatsink
Natural Cooling
80
60
40
20
3.5
00
50
25
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
Safe Operating Area
(Single Pulse)
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SD2439)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
FM100(TO3PF)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SB1588
–160
–150
–5
–10
–1
80(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SB1588
–100
max
–100
max
–150
min
5000
min
–2.5
max
–3.0
max
50
typ
230
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–160V
V
EB
=–5V
I
C
=–30mA
V
CE
=–4V, I
C
=–7A
I
C
=–7A, I
B
=–7mA
I
C
=–7A, I
B
=–7mA
V
CE
=–12V, I
E
=2A
V
CB
=–10V, f=1MHz
Darlington
2S B1588
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–70
10
–7
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
5
I
(mA)
7
t
on
(
μ
s)
0.8typ
t
stg
(
μ
s)
3.0typ
t
f
(
μ
s)
1.2typ
I
(mA)
–7
V
(V)
–10
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
B
E
C
(70
)
Equivalent circuit
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PDF描述
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2SB158900L 功能描述:TRANS PNP LF 10VCEO 1.5A MINIPWR RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1590KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SB1590KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 15V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1592 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB15920RA 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 3A TO-92NL RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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