參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1572-HX
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： 2SB1572-HX
Data Sheet D11204EJ3V0DS
2
2SB1572
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
5
IC = 20 IB
.
IC - Collector Current - A
V
CE(sat)
-
Collector
Saturation
Voltage
-
mV
0.1
0.02 0.05
0.01
0.2 0.5
10
1
2
5
TA = 125C
75C
25C
0C
25C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
500
300
700
900
1100
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
VBE - Base to Emitter Voltage - mV
IC
-
Collector
Current
-
A
VCE =
2 V
T
A
=
125
C
25
C
0
C
75
C
–
25
C
DC CURRENT GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
0.1
0.02 0.05
0.01
0.2 0.5
10
1
2
5
1000
100
10
IC - Collector Current - A
h
FE
-
DC
Current
Gain
VCE =
2 V
TA = 125C
75C
25C
0C
25C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
IB =
10 mA
20 mA
30
mA
40
mA
50
mA
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
IC
-
Collector
Current
-
A
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
5
2
1
10
100
20
50
10
2
5
1
0.5
0.2
0.1
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
IC
-
Collector
Current
-
A
TA = 25C
Single Pulse
PW
=
1
ms
10
ms
100
ms
DC
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TA - Ambient Temperature - C
0
120
90
30
150
60
100
80
40
60
20
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1572 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1573 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1526 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2407 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5222 500 mA, 500 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1572-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,60V,3.0A,P-MINI MOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SB1572-T1-AZ HY 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP
2SB1572-T1-AZ-HZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB157400L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1578-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 5A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R Cut Tape
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*