參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1499AP
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT4, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 164K
代理商： 2SB1499AP
1
Power Transistors
2SB1499, 2SB1499A
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-freauency power amplification
s Features
q
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
q
Allowing automatic insertion with radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–60
–80
–60
–80
–5
–8
–4
15
2
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
TC=25°C
Ta=25
°C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff
current
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Collector to emitter
voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICES
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
*
hFE2
VBE
VCE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCE = –60V, VBE = 0
VCE = –80V, VBE = 0
VCE = –30V, IB = 0
VCE = –60V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –30mA, IB = 0
VCE = –4V, IC = –1A
VCE = –4V, IC = –3A
IC = –4A, IB = – 0.4A
VCE = –10V, IC = – 0.1A, f = 10MHz
IC = –4A, IB1 = – 0.4A, IB2 = 0.4A
min
–60
–80
70
15
typ
30
0.2
0.5
0.2
max
–400
–700
–1
250
–2
–1.5
Unit
A
mA
V
MHz
s
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
*h
FE1 Rank classification
Rank
Q
P
hFE1
70 to 150
120 to 250
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
1.0
10.0
±0.2
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
4.2
±0.2
13.0
±0.2
2.5
±0.2
18.0
±0.5
Solder
Dip
5.0
±0.1
2.25
±0.2
1.2
±0.1
0.65
±0.1
0.55
±0.1
C1.0
90
°
C1.0
123
1.05
±0.1
0.35
±0.1
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1505-E SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1505-D SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1505-E SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1517T105P 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1517T105/P 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1548 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P
2SB1548A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1548AP 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*