參數(shù)資料
型號： 2SB1457
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2SB1457
2SB1457
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington)
2SB1457
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Power Switching Applications
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max)
(IC = 1 A, IB = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
Collector current
IC (DC)
2
A
Collector current
IC (Pulse)
3
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
BASE
EMITTER
≈ 4 k
≈ 800
COLLECTOR
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PDF描述
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參數(shù)描述
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