參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1446S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MT2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SB1446S
1
Transistor
2SB1446
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SD2179
s Features
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).
q
Allowing supply with the radial taping.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT2 Type Package
2.5
±0.1
4.5
±0.1
14.5
±0.5
2.5
±0.5 2.5±0.5
2.5
±0.1
6.9
±0.1
1.05
±0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0.15
0.5
0.2
1.0
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
3
2
1
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
*
Tj
Tstg
Ratings
–50
–5
–7
–5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
ICBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE1
*1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
Conditions
VCB = –20V, IE = 0
IC = –10A, IE = 0
IC = –1mA, IB = 0
IE = –10A, IC = 0
VCE = –2V, IC = –500mA
*2
VCE = –2V, IC = –2.5A
*2
IC = –2A, IB = –100mA
*2
IC = –2A, IB = –100mA
*2
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz
min
–50
–5
120
60
typ
– 0.2
– 0.85
70
90
max
– 0.1
340
– 0.3
–1.2
120
Unit
A
V
MHz
pF
* Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*1h
FE1 Rank classification
Rank
R
S
hFE1
120 ~ 240
170 ~ 340
*2 Pulse measurement
1.2
±0.1
0.65
max.
0.45 0.1
0.05
+
–
Note: In addition to the
lead type shown in
the upper figure, the
type as shown in
the lower figure is
also available.
(HW type)
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