參數(shù)資料
型號： 2SB1434S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： 2SB1434S
Transistors
1
Publication date: January 2003
SJC00083BED
2SB1434
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SD2177
■ Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Rank
R
S
No-rank
hFE1
120 to 240
170 to 340
120 to 340
Product of no-rank is not classification is not marked.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
2A
Peak collector current
ICP
3A
Collector power dissipation *
PC
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note) *: Print circuit board: Copper foil area of 1 cm2 or more, and the board
thickness of 1.7 mm for the collector portion
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 0
5V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB
= 20 V, I
E
= 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
2
VCE = 2 V, IC = 200 mA
120
340
hFE2 *
1
VCE = 2 V, IC = 1 A
60
Collector-emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC
= 1 A, I
B
= 50 mA
0.2
0.3
V
Base-emitter saturation voltage *
1
VBE(sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
0.85 1.20
V
Transition frequency
fT
110
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
40
60
pF
(Common base, input open circuited)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
6.9±0.1
2.5±0.1
0.45
1.05±0.05
2.5±0.5
123
2.5±0.5
+0.10
–0.05
0.45
+0.10
–0.05
(0.8)
(0.5)
(1.0)
4.5
±
0.1
14.5
±
0.5
4.0
0.7
0.65 max.
(0.2)
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-2-A1 Package
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料
PDF描述
2SB1436C6/R 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP
2SB1436C6/PR 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP
2SB1463GS 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1463GR 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1438 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB:2SA1315
2SB14380RA 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 2A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB14400RL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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