參數(shù)資料
型號: 2SB1432
廠商: NEC Corp.
英文描述: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
中文描述: 進(jìn)步黨硅外延晶體管(達(dá)林頓接線)低頻功率放大器和低速開關(guān)
文件頁數(shù): 2/6頁
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代理商: 2SB1432
Data Sheet D14859EJ2V0DS
2
2SB1432
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
on
t
stg
t
f
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
10
30,000
1.5
2.2
Unit
μ
A
Collector cutoff current
DC current gain
Collector saturation voltage
Base saturation voltage
Gain bandwidth product
Collector capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Pulse test PW
350
μ
s, duty cycle
2%
V
CB
=
100 V, I
E
= 0 A
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
10 A
I
C
=
10 A, I
B
=
25 mA
I
C
=
10 A, I
B
=
25 mA
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
1.0 A
V
CB
=
10 V, I
E
= 0 A, f = 1.0 MHz
I
C
=
10 A, R
L
= 5.0
,
I
B1
=
I
B2
=
25 mA, V
CC
50 V
Refer to the test circuit.
Note
1,000
6,000
1.1
1.8
80
200
1.0
5.0
2.0
Note
V
V
Note
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
Note
SWITCHING TIME (t
on
, t
stg
, t
f
) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
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