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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1412L-TN3-C-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓開(kāi)關(guān)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SB1412L-TN3-C-R |
2SB1412
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R209-021,A
4 of 5
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS (Cont.)
Collector-emitter Saturation Voltage
vs.Collector Current (II)
C
C
(
S
)
-0.01
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
Collector Output Capacitance
vs.Collector-Base Voltage
C
100
50
20
10
-0.1 -0.2
Collector to Base Voltage:V
CB
(V)
200
500
1
2
5
10 20
Emitter Current : I
E
(mA)
50
5
Gain Bandwidth Product vs.Emitter
Current
T
20
10
50 100
500
100
1000
2
1
200
500
-0.5
-5
-1
-2
-20
-10
1000
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
Collector Current : Ic(A)
-1
-2
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100
Ic/I
B
=10
Collector-emitter Saturation Voltage
vs.Collector Current (III)
C
C
(
S
)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current : Ic(A)
-1
-2
-2m
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25
Ta=25
Ic/I
B
=30
Ta=100
Ta= -25
Ta=25
Collector-emitter Saturation Voltage
vs.Collector Current (IV)
C
C
(
S
)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current : Ic(A)
-1
-2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100
Ic/I
B
=40
Collector-emitter Saturation Voltage
vs.Collector Current (V)
C
C
(
S
)
(
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current : Ic(A)
-1
-2
-2m
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25
Ta=25
Ic/I
B
=50
Ta=100
Ta= -25
Ta=25
200
1000
Vc
E
= -6V
Ta=25
Ta=25
f =1MHz
I
E
=0A
-50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB1412L-TN3-B-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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