參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1401
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管)
中文描述： 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨（三倍擴(kuò)散進(jìn)步黨晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SB1401
2SB1401
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
Tj
–300
V
Collector to emitter voltage
–300
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–0.3
A
Collector peak current
–0.6
A
Collector power dissipation
2
W
1
15
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–300
—
—
V
I
C
= –1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–300
—
—
V
I
C
= –10 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–7
—
—
V
I
E
= –1 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –300 V, I
E
= 0
V
CE
= –60 V, R
BE
=
∞
V
EB
= –5 V, I
C
= 0
V
CE
= –1.5 V, I
C
= –20 mA*
V
CE
= –1.5 V, I
C
= –100 mA*
I
C
= –100 mA, I
B
= –0.2 mA*
—
—
–10
—
—
–10
DC current transfer ratio
1000
—
—
1
1500
—
—
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–1.5
V
1
Base to emitter saturation
voltage
Note:
1. Pulse test.
V
BE(sat)
—
—
–2.0
V
I
C
= –100 mA, I
B
= –0.2 mA*
1
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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