參數(shù)資料
型號: 2SB1317Q
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 211K
代理商: 2SB1317Q
2SB1317
3
SJD00066BED
Rth t
101
1
10
102
104
103
104
103
102
10
1
101
102
103
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
C/W)
(1)
(2)
Note: Rth was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1)PT=10V
×0.2A(2W) and without heat sink
(2)PT=10V
×1.0A(10W) and with a 100×100×2mm Al heat sink
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1318-K 3000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1318-M 3000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1322R 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1322 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1322Q 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1319 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE
2SB1320A0A 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1320AQRTA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1321A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1321A0A 功能描述:TRANS PNP LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR