參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1302-T
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SB1302-T
2SB1302
No.2555-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--20V, IE=0A
--500
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--500
nA
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--500mA
100*
400*
hFE2VCE=--2V, IC=--4A
60
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--5V, IC=--200mA
320
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--1.0
--1.3
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--25
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--20
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
200
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
10
ns
*: The 2SB1302 is classified by 500mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --2A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1302T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
2SB1302-S 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1308R 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1308Q 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1317Q 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1308T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1308T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1316TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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