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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1274 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 中文描述： | 60V/3A低頻功率放大器應用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SB1274 |
2SB1274/2SD1913
No.2246-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
280*
Unit
DC Current Gain
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCE(sat)
VBE
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
VCE=(--)5V, IC=(--)3A
VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)2A, IB=(--)0.2A
VCE=(--)5V, IC=(--)0.5A
IC=(--)1mA, IE=0
IC=5mA, RBE=
∞
IE=(--)1mA, IC=0
70*
20
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
100
MHz
pF
V
V
V
V
V
(60)40
(--)0.4
(--)0.8
(--)1
(--)1
(--)60
(--)60
(--)6
* : The 2SBB1274 / 2SD1913 are classified by 0.5A hFE as follows :
Rank
Q
hFE
70 to 140
R
S
100 to 200
140 to 280
IT02818
IC -- VBE
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--2.0
--2.4
--1.6
--1.2
--0.4
--0.8
--2.8
--3.2
--3.6
2SB1274
VCE= --5V
IT02819
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
0
0.2
0.4
0.8
0.6
1.0
1.2
1.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.6
3.2
2SD1913
VCE=5V
IT02816
IC -- VCE
-35mA
0
--2
--1
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--4
--3
--5
--6
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
IB=0
--10mA
--5mA
--20mA
--25mA
-0A
-4m
--30mA
--15mA
IT02817
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
0
2
1
4
3
5
6
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
IB=0
2SB1274
2SD1913
10mA
15mA
20mA
5
35mA
40mA
4
30mA
5mA
T=2
°
C
2
°
C
-0
°
C
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
C
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1913 | 60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications |
| 2SB1275 | Power Transistor (−160V , −1.5A) |
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| 2SB1295 | Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1274R | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1274S | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1275TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1278 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -80V -.7A .75W ECB |
| 2SB1279 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -15V -.2A .3W ECB |
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