型號(hào): | 2SB1266Q |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | TO-220MF, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 106K |
代理商: | 2SB1266Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1277TL2/R | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1288P | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SB1290/D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1290 | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1290D | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SB1268R-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
2SB1269R-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF |
2SB1274 | 制造商:n/a 功能描述:2SB1274 N9H1D |
2SB1274R | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1274S | 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |