型號: | 2SB1260 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大小: | 109K |
代理商: | 2SB1260 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SB1424 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2098Q | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2195T101C | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2167T100 | 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1561P | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SB1260FRAT100R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SB1260T100 | 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape |
2SB1260T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1260T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1260T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |