參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1243TV2R
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2SB1243TV2R
1/3
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.04 - Rev.D
Power Transistor (
60V, 3A)
2SB1243
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = -0.5V (Typ.)
(IC/IB = -2A / -0.2A)
2) Complements the 2SD1864.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
60
V
A (DC)
°C
50
5
3
1W
1
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
1 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
60
50
5
120
70
50
1
390
1
V
IC
= 50μA
IC
= 1mA
IE
= 50μA
VCB
= 40V
VEB
= 4V
VCE
= 3V, IC= 0.5A
IC/IB
= 2A/ 0.2A
VCE
= 5V, IE=0.5A, f=30MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
2SB1243
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
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