參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1243
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (-60V, -3A)
中文描述： 功率晶體管（- 60V的，- 3A）條
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： 2SB1243
2SB1184 / 2SB1243
Transistors
3/3
0.01
0.05
0.1
0.02
0.5
1
0.2
5
10
2
1
5
10
2
50
100
20
500
1000
200
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
3V
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC current gain vs.
collector current (
Ι
)
0.01
0.02
0.1
0.05
0.2
1
0.5
2
10
5
1
5
10
2
50
100
20
500
1k
200
V
CE
=
3V
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
Fig.5 DC current gain vs.
collector current (
ΙΙ
)
0.01
0.02
0.1
0.05
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.2
1
0.5
2
10
5
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
C
C
(
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
50/1
20/1
10/1
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs.collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
B
B
0.01
0.02
0.1
0.05
0.2
1
0.5
2
10
5
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
l
C
/l
B
=
10
Ta
=
25
°
C
25
°
C
100
°
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Base-emitter saturation voltage vs.
collector current
1
2
10
5
20
100
50
200
1000
500
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
(
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
0.2
0.1
0.5
10
5
2
1
50
20
100
1
20
10
5
2
50
200
100
500
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
Fig.9 Collector output capacitance vs.
collector base voltage
Fig.10 Safe operation area
(2SB1184)
0.1
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10.0
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
Tc
25
°
C
Single
nonrepetitive
pulse
10m
P
W
=
1m
DC
Fig.11 Safe operation area
(2SB1243)
0.1
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10.0
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
Tc
°
C
Si25
nonrepetitive
pulse
I
C Max
. (Pulse)
P
w
=
1m
10m
DC
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2SB1243TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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