參數資料
型號： 2SB1212T103
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
封裝： TO-92L, 3 PIN
文件頁數： 2/2頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： 2SB1212T103
相關PDF資料
PDF描述
2SD2172 1200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SD1929C Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
2SB1332T105 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1820 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
2SB1595TE4 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SB1215S-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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