參數(shù)資料
型號： 2SB1209
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP triple diffusion planer type(For low-frequency amplification)
中文描述： 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 38K
代理商： 2SB1209
2
Transistor
2SB1209
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25C
– 0.1mA
– 0.2mA
– 0.3mA
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
I
B
=–1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–1.0
– 0.8
– 0.2
– 0.6
– 0.4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
T
C
=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
240
200
160
120
80
40
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
1
10
100
1000
3
30
300
0
120
100
80
60
40
20
V
CB
=–30V
T
C
=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
30
25
20
15
10
5
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–300
–1000
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
t=100ms
t=1s
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
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