| 型號: | 2SB1205STP | 
| 元件分類: | 小信號晶體管 | 
| 英文描述: | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
| 封裝: | TP, 3 PIN | 
| 文件頁數(shù): | 2/4頁 | 
| 文件大小: | 95K | 
| 代理商: | 2SB1205STP | 

相關PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| 2SB1205RTP | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
| 2SB1205RTP-FA | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
| 2SB1205RTP | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
| 2SB1205TP-FA | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
| 2SB1205RTP-FA | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 
相關代理商/技術參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| 2SB1205T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| 2SB1205T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| 2SB1209 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR | 
| 2SB1215S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| 2SB1215S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |