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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1198G-Q-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | 2SB1198G-Q-AE3-R |
2SB1198
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R206-040,B
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
-0.2
-2
-1m
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Figure 1. Grounded Emitter
Propagation Characteristics
-0.4 -0.6 -0.8
-1.4
-1.2
-1.0
-2m
-5m
0
-0.5
0
Collector To Emitter Voltage, VCE (V)
Figure 2. Grounded Emitter
Output Characteristics
-0.1
-0.4
-0.8
-1.6
-2.0
-1.2
-0.2
-0.3
-0.4
IB =0mA
Ta=25℃
-1.0mA
-0.5mA
-10m
-30mA
-45mA
-5.0mA
-1.5mA
-20mA
-25mA
-20m
-50m
-100m
-200m
-500m
-1
-5
-10
VCE = -3V
Ta=25℃
Ta=100℃
Ta= -25℃
-40mA
-35mA
DC
Cu
rre
nt
Ga
in,
h
FE
Co
lle
cto
r
Satu
ra
tion
Vo
ltage
,V
C
E
(sat)
(
V)
Figure 5. Collector-emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (II)
Collector Current, IC (mA)
-20m
-10m
-50m
-100m
-200m
-10
-100
-500m
-1
Ta= 100℃
IC/IB=10
-2
-1A
Ta= 25℃
Ta= -25℃
Figure 6. Collector-Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current (III)
Collector Current, IC (mA)
-20m
-10m
-50m
-100m
-200m
-10
-100
-500m
-1
Ta= 100℃
IC/IB=20
-2
-1A
Ta= 25℃
Ta= -25℃
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1198L-R-AE3-R | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1198G-R-AE3-R | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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