參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1184-Q-TP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 591K
代理商： 2SB1184-Q-TP
2SB1184-P
PNP Silicon
Epitaxial Transistors
Features
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-50
V
VCBO
Collector-Base Voltage
-60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5.0
V
IC
Collector Current
-3.0
A
PC
Collector power dissipation
1.0
W
TJ
Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
V(BR)CBO
Collector-base Breakdown Voltage
(IC=-50uAdc, IE=0)
-60
---
Vdc
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=-40Vdc,IE=0)
---
-
1.0
uAdc
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB=-4Vdc, IC=0)
---
-
1.0
uAdc
hFE(1)
DC Current Gain
(IC=-0.5Adc, VCE=-3.0Vdc)
82
---
390
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-2Adc, IB=-200mAdc)
---
-1.0
Vdc
fT
Transition Frequency
(VCE=-5Vdc, IC=-500mAdc,f=30MHz)
70
---
MHz
Cob
Collector output capacitance
(VCB=-10Vdc, IE=0,f=1.0MHz)
---
50
---
pF
Revision: A
2011/01/01
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
TM
Micro Commercial Components
CLASSIFICATION OF HFE(1)
Rank
P
Q
R
Range
82-180
120-270
180-390
www.mccsemi.com
1 of
4
2SB1184-Q
2SB1184-R
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-1mAdc, IB=0)
-50
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-base Breakdown Voltage
(IE=-50uAdc, IC=0)
-5
---
Vdc
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Low Collector Saturation Voltage
Execllent current-to-gain characteristics
Maximum Thermal Resistance: 125
oC/W Junction to Ambient
DIMENSIONS
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
0.087
0.094
2.20
2.40
B
0.000
0.005
0.00
0.13
C
0.026
0.034
0.66
0.86
D
0.018
0.023
0.46
0.58
E
0.256
0.264
6.50
6.70
F
0.201
0.215
5.10
5.46
G
0.190
4.83
H
0.236
0.244
6.00
6.20
J
0.386
0.409
9.80
10.40
PIN 1.
BASE
PIN 2.
COLLECTOR
PIN 3.
EMITTER
INCHES
O
0.043
0.051
1.10
1.30
Q
A
D
B
L
G
V
K
C
I
J
H
O
M
F
1
2
3
I
0.086
0.094
2.18
2.39
K
0.114
2.90
L
0.055
0.067
1.40
1.70
M
0.063
1.60
Q
0.000
0.012
0.00
0.30
V
0.211
5.35
DPAK
E
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
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PDF描述
2SB1184F5TLPQ 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1184F5TLPR 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1188T100/R 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1188T100Q 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1240TV2/P 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1184-R 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors
2SB1184TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SB1184TLQ/R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -50V, -3A, CPT
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