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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1175 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, I-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | 2SB1175 |
2SB1175
3
SJD00051AED
R
th
t
10
1
1
10
10
3
10
2
T
t
°
C
Time t (s)
10
4
10
4
10
3
10
2
10
1
10
1
10
2
10
3
(1)Without heat sink
(2)With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1176 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SB1179 | For Power Amplification And Switching |
| 2SB1179A | For Power Amplification And Switching |
| 2SB1179 | Power Amplifier,Switching Complementary Pair with 2SD1749, 2SD1749A |
| 2SB1179A | Power Amplifier,Switching Complementary Pair with 2SD1749, 2SD1749A |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1175P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
| 2SB1175Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
| 2SB1175R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
| 2SB1176 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Planar Type |
| 2SB1176P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-221VAR |
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