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參數資料
| 型號： | 2SB1142-Q |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2.5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SB1142-Q |
2SB1142/2SD1682
No.2060–3/4
VCE(sat) -- IC
--0.1
--0.01
23
5
7
23
5
2
3
5
7
--1.0
--1000
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR09041
ITR09042
0.01
0.1
7
2
35
7
2
35
2
3
5
7 1.0
1000
3
5
2
3
7
2
5
3
7
2
100
10
Ta=75
°C
--2
5°
C
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
2SB1142
IC / IB=20
2SD1682
IC / IB=20
hFE -- IC
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
--25
°C
25
°C
ITR09037
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
1000
5
7
5
7
3
2
10
3
2
0.01
0.1
1.0
--1.0
--0.1
3
25
7
3
23
2
55
7
3
25
7
3
25
3
25
7
--0.01
hFE -- IC
ITR09038
2SB1142
VCE= --2V
2SD1682
VCE=2V
Cob -- VCB
3
2
7
5
7
5
100
10
37
2
1.0
10
53
7
25
7
ITR09040
2SB1142 / 2SD1682
f=1MHz
0.1
1.0
3
25
77
3
23
2
57
0.01
2SB1142 / 2SD1682
VCE=10V
2SB1142
2SD1682
For PNP, minus sign is omitted.
f T -- IC
100
5
3
2
7
5
10
ITR09039
25
°C
2SB1142
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--2.8
--2.0
--2.4
--1.2
--0.8
--1.6
--0.4
0
2.8
0.4
1.2
0.8
2.4
2.0
1.6
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09035
2SD1682
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09036
2SB1142
2SD1682
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB1143-T | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1683-T | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SB1143R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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