型號: | 2SB1132-R-TP |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 187K |
代理商: | 2SB1132-R-TP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1132-P-TP | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1140-S-TP | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1144-SA | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1684-SA | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1144-LT | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SB1132T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |