參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1132-R-TN3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SB1132-R-TN3-R
2SB1132
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 4
QW-R208-016,B
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
RATINGS
-40
-32
-5
-1
-2
0.5
1
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Current Single pulse, Pw=100ms
DC
PULSE
SOT-89
TO-252
I
C
Collector Power Dissipation
P
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
T
J
T
STG
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
I
C
= -500mA,I
B
= -50mA (Note)
h
FE
V
CE
= -3V,I
C
= -0.1A (Note)
f
T
V
CE
= -5V, I
E
= 50 mA, f=30MHz
Cob
V
CB
= -10V, I
E
= 0A,f=1MHz
TEST CONDITIONS
I
C
= -50μA
I
C
= -1mA
I
E
= -50μA
V
CB
= -20V
V
EB
= -4V
MIN
-40
-32
-5
82
TYP
-0.2
MAX
-0.5
-0.5
-0.5
390
UNIT
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
Note: Measured using pulse current.
150
20
30
CLAS S IFICAT ION OF h
FE
RANK
RANGE
P
Q
R
82-180
120-270
180-390
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1132-R-TN3-T MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-X-AB3-R MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-X-TN3-R MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-X-TN3-T MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-P-AB3-R MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1132-R-TN3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1132T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1132T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1132T113Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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