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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1127-T |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SB1127-T |
2SB1127
No.2452-2/4
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--5V, IC=--200mA
320
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--250
--500
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--3A, IB=--60mA
--1.0
--1.3
V
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
--25
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
--20
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
200
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
10
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2009B
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC= --10V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
5
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
8.0
4.0
7.0
11.0
1.5
15.5
3.0
1.6
0.8
0.6
0.5
2.7
4.8
2.4
1.2
12
3
3.0
--5
--3
--2
--4
--1
0
--0.4
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
IC -- VCE
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR08947
0
--2
--6
--5
--4
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
ITR08948
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
--50mA
--2.0
--1.2
--0.8
--1.6
--0.4
0
--1.0A
--1.2A
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
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